Electronic structure of nobel-graphene based superlattices / Doménica Nicole Garzón Armendáriz ; tutor Henry Paúl Pinto Esparza
Tipo de material:
TextoIdioma: Inglés Idioma del resumen: Español Fecha de copyright: Urcuquí, 2021Descripción: 59 hojas : ilustraciones (algunas a color) ; 30 cm + 1 CD-ROMTema(s): Recursos en línea: Nota de disertación: Trabajo de integración curricular (Físico/a). Universidad de Investigación de Tecnología Experimental Yachay. Urcuquí, 2021 Resumen: El grafeno es un material que tiene notables propiedades electrónicas y estructurales. Este material excepcional se destaca por sus aplicaciones potenciales en muchas áreas emergentes. Sin embargo, sus aplicaciones nanoelectrónicas son limitadas porque carece de un bandgap a nivel de Fermi, el cual define el concepto de un material semiconductor y es esencial para controlar la conductividad en el material. Los defectos estructurales pueden cambiar esta carencia de badgap en el grafeno. Sin embargo, debido a que los experimentos pueden llevar mucho tiempo y ser costosos, la comprensión de la relación entre los defectos y las propiedades relacionadas con la estructura es limitada. Es crucial investigar las propiedades relacionadas con la estructura y los defectos, utilizando simulaciones DFT y modelos matemáticos. Aquí se investiga la estructura atómica, electrónica y las energías de formación de estructuras en patrones a base de grafeno con dos tipos de defectos, Stone-Wales (SWD) y defectos tipo flor (FLD). Se investigan las estructuras a través de microscopía de túnel de barrido, un modelo matemático perturbativo y la teoría funcional de la densidad (DFT) dentro de los cálculos de aproximación meta-GGA. El análisis muestra una apertura de bandgap en la estructura de grafeno con defectos cuando los mismos se disponen a ciertas distancias. Luego, los cálculos tight-binding derivan una regla que predice en qué casos puede haber un bandgap y se compara con los resultados de DFT.
| Tipo de ítem | Biblioteca actual | Signatura | Copia número | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras | Reserva de ítems | |
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Tesis
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Biblioteca Yachay Tech | ECFN0073 (Navegar estantería(Abre debajo)) | 1 | No para préstamo | T000385 |
Trabajo de integración curricular (Físico/a). Universidad de Investigación de Tecnología Experimental Yachay. Urcuquí, 2021
Incluye referencias bibliográficas (páginas 53-57)
Trabajo de integración curricular con acceso abierto
Texto (Hypertexto links)
El grafeno es un material que tiene notables propiedades electrónicas y estructurales. Este material excepcional se destaca por sus aplicaciones potenciales en muchas áreas emergentes. Sin embargo, sus aplicaciones nanoelectrónicas son limitadas porque carece de un bandgap a nivel de Fermi, el cual define el concepto de un material semiconductor y es esencial para controlar la conductividad en el material. Los defectos estructurales pueden cambiar esta carencia de badgap en el grafeno. Sin embargo, debido a que los experimentos pueden llevar mucho tiempo y ser costosos, la comprensión de la relación entre los defectos y las propiedades relacionadas con la estructura es limitada. Es crucial investigar las propiedades relacionadas con la estructura y los defectos, utilizando simulaciones DFT y modelos matemáticos. Aquí se investiga la estructura atómica, electrónica y las energías de formación de estructuras en patrones a base de grafeno con dos tipos de defectos, Stone-Wales (SWD) y defectos tipo flor (FLD). Se investigan las estructuras a través de microscopía de túnel de barrido, un modelo matemático perturbativo y la teoría funcional de la densidad (DFT) dentro de los cálculos de aproximación meta-GGA. El análisis muestra una apertura de bandgap en la estructura de grafeno con defectos cuando los mismos se disponen a ciertas distancias. Luego, los cálculos tight-binding derivan una regla que predice en qué casos puede haber un bandgap y se compara con los resultados de DFT.
Textos en inglés con resúmenes en español e inglés
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