Detalles MARC
000 -CABECERA |
Campo de control de longitud fija |
03001nam a22003257a 4500 |
003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL |
Campo de control |
EC-UrYT |
005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN |
Campo de control |
20221206000959.0 |
008 - CÓDIGOS DE INFORMACIÓN DE LONGITUD FIJA |
Campo de control de longitud fija |
150116t9999 mx r gr 000 0 spa d |
040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN |
Centro transcriptor |
EC-UrYT |
041 ## - CÓDIGO DE LENGUA |
Código de lengua del texto/banda sonora o título independiente |
eng |
Código de lengua del sumario o resumen |
spa |
100 1# - PUNTO DE ACCESO PRINCIPAL - NOMBRE DE PERSONA |
9 (RLIN) |
14295 |
Nombre de persona |
Garzón Armendáriz, Doménica Nicole |
Término indicativo de función |
autor |
245 1# - MENCIÓN DE TÍTULO |
Título |
Electronic structure of nobel-graphene based superlattices / |
Mención de responsabilidad etc. |
Doménica Nicole Garzón Armendáriz ; tutor Henry Paúl Pinto Esparza |
264 #4 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT |
Lugar de producción |
Urcuquí, |
Fecha de producción |
2021 |
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA |
Extensión |
59 hojas : |
Otras características físicas |
ilustraciones (algunas a color) ; |
Dimensiones |
30 cm + |
Material anejo |
1 CD-ROM |
502 ## - NOTA DE TESIS |
Nota de tesis |
Trabajo de integración curricular |
Tipo de título |
(Físico/a). |
Nombre de la institución que otorga el título |
Universidad de Investigación de Tecnología Experimental Yachay. |
Ciudad de la institución que otorga el título |
Urcuquí, |
Año de obtención del título |
2021 |
504 ## - NOTA DE BIBLIOGRAFÍA; ETC. |
Nota de bibliografía etc. |
Incluye referencias bibliográficas (páginas 53-57) |
506 ## - NOTA DE RESTRICCIONES AL ACCESO |
Limitaciones de acceso |
Trabajo de integración curricular con acceso abierto |
516 ## - NOTA DE TIPO DE ARCHIVO DE ORDENADOR O DE DATOS |
Nota de tipo de archivo de ordenador o de datos |
Texto (Hypertexto links) |
520 ## - NOTA DE SUMARIO; ETC. |
Sumario etc. |
El grafeno es un material que tiene notables propiedades electrónicas y estructurales. Este material excepcional se destaca por sus aplicaciones potenciales en muchas áreas emergentes. Sin embargo, sus aplicaciones nanoelectrónicas son limitadas porque carece de un bandgap a nivel de Fermi, el cual define el concepto de un material semiconductor y es esencial para controlar la conductividad en el material. Los defectos estructurales pueden cambiar esta carencia de badgap en el grafeno. Sin embargo, debido a que los experimentos pueden llevar mucho tiempo y ser costosos, la comprensión de la relación entre los defectos y las propiedades relacionadas con la estructura es limitada. Es crucial investigar las propiedades relacionadas con la estructura y los defectos, utilizando simulaciones DFT y modelos matemáticos. Aquí se investiga la estructura atómica, electrónica y las energías de formación de estructuras en patrones a base de grafeno con dos tipos de defectos, Stone-Wales (SWD) y defectos tipo flor (FLD). Se investigan las estructuras a través de microscopía de túnel de barrido, un modelo matemático perturbativo y la teoría funcional de la densidad (DFT) dentro de los cálculos de aproximación meta-GGA. El análisis muestra una apertura de bandgap en la estructura de grafeno con defectos cuando los mismos se disponen a ciertas distancias. Luego, los cálculos tight-binding derivan una regla que predice en qué casos puede haber un bandgap y se compara con los resultados de DFT. |
546 ## - NOTA DE LENGUA |
Nota de lengua |
Textos en inglés con resúmenes en español e inglés |
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA - TÉRMINO DE MATERIA |
9 (RLIN) |
14296 |
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
Defectos Stone-Wales |
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA - TÉRMINO DE MATERIA |
9 (RLIN) |
14297 |
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
Apertura de banda |
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA - TÉRMINO DE MATERIA |
9 (RLIN) |
14298 |
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
Patterned graphene |
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA - TÉRMINO DE MATERIA |
9 (RLIN) |
102 |
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
Física |
Subdivisión de forma |
Trabajos y disertaciones académicas |
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL - NOMBRE DE PERSONA |
9 (RLIN) |
11670 |
Nombre de persona |
Pinto Esparza, Henry Paúl |
Término indicativo de función |
tutor |
710 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL - NOMBRE DE ENTIDAD |
Nombre de entidad o nombre de jurisdicción como elemento inicial |
Universidad de Investigación de Tecnología Experimental Yachay. |
Unidad subordinada |
Escuela de Ciencias Físicas y Nanotecnología |
9 (RLIN) |
11232 |
856 ## - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS |
Nota pública |
Ver recurso |
Identificador Uniforme del Recurso (URI) |
http://repositorio.yachaytech.edu.ec/handle/123456789/449 |
942 ## - ENTRADA PARA ELEMENTOS AGREGADOS (KOHA) |
Fuente de clasificación o esquema de ordenación en estanterías |
Clasificación Decimal Dewey |
Koha [por defecto] tipo de item |
Tesis |