Manufacture of thin film memcapacitor aluminum oxide nanopores filled with copper oxide by electrochemical self-organizing template / Richard Santiago Zapata Gavilanes ; tutor Gema González Vázquez
Tipo de material:
TextoIdioma: Inglés Idioma del resumen: Español Fecha de copyright: Urcuquí, 2021Descripción: 92 hojas : ilustraciones (algunas a color) ; 30 cm + 1 CD-ROMTema(s): Recursos en línea: Nota de disertación: Trabajo de integración curricular (Ingeniero/a en Nanotecnología). Universidad de Investigación de Tecnología Experimental Yachay. Urcuquí, 2021 Resumen: El presente proyecto muestra la fabricación de una película delgada con una densidad aproximada de 1.1 x 10^15de memcapacitors por m^2. El material modificado está compuesto por nano-poros de óxido de aluminio (AO) y dopado con alambres de nano-óxido de cobre (wCuOx). El material de partida para hacer el electrodo fue aluminio y mediante anodización electroquímica se obtuvo una membrana porosa de óxido de aluminio (AAO). A continuación, se utilizó AAO como sustrato para depositar wCuOx dentro de los poros para formar un material AOO / CuO. La caracterización morfológica de las películas obtenidas se realizó con un microscopio de fuerza atómica, microscopía electrónica de barrido y espectroscopía de rayos X de energía dispersiva. Y para caracterizar las propiedades eléctricas se utilizó voltamperometría cíclica y espectroscopía de impedancia electroquímica. Los resultados experimentales obtenidos mostraron un tamaño de poro de 50-200 nm con una profundidad de 40 um. La voltamperometría cíclica mostró el bucle de histéresis de conmutación resistiva característico de un condensador de memoria que muestra la variación de resistencia que va de 0 a 22,5 k\ohm. La espectroscopia de impedancia electroquímica mostró un valor de capacitancia de 1,14X 10^(-5)F para la alúmina y 6,82X 10^(-6)F para el material AOO / CuO
| Tipo de ítem | Biblioteca actual | Signatura | Copia número | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras | Reserva de ítems | |
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Tesis
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Biblioteca Yachay Tech | ECFN0050 (Navegar estantería(Abre debajo)) | 1 | No para préstamo | T000404 |
Trabajo de integración curricular (Ingeniero/a en Nanotecnología). Universidad de Investigación de Tecnología Experimental Yachay. Urcuquí, 2021
Incluye referencias bibliográficas (páginas 62-77)
Trabajo de integración curricular con acceso abierto
Texto (Hypertexto links)
El presente proyecto muestra la fabricación de una película delgada con una densidad aproximada de 1.1 x 10^15de memcapacitors por m^2. El material modificado está compuesto por nano-poros de óxido de aluminio (AO) y dopado con alambres de nano-óxido de cobre (wCuOx). El material de partida para hacer el electrodo fue aluminio y mediante anodización electroquímica se obtuvo una membrana porosa de óxido de aluminio (AAO). A continuación, se utilizó AAO como sustrato para depositar wCuOx dentro de los poros para formar un material AOO / CuO. La caracterización morfológica de las películas obtenidas se realizó con un microscopio de fuerza atómica, microscopía electrónica de barrido y espectroscopía de rayos X de energía dispersiva. Y para caracterizar las propiedades eléctricas se utilizó voltamperometría cíclica y espectroscopía de impedancia electroquímica. Los resultados experimentales obtenidos mostraron un tamaño de poro de 50-200 nm con una profundidad de 40 um. La voltamperometría cíclica mostró el bucle de histéresis de conmutación resistiva característico de un condensador de memoria que muestra la variación de resistencia que va de 0 a 22,5 k\ohm. La espectroscopia de impedancia electroquímica mostró un valor de capacitancia de 1,14X 10^(-5)F para la alúmina y 6,82X 10^(-6)F para el material AOO / CuO
Textos en inglés con resúmenes en español e inglés
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