Detalles MARC
000 -CABECERA |
Campo de control de longitud fija |
03165nam a22003977a 4500 |
003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL |
Campo de control |
EC-UrYT |
005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN |
Campo de control |
20221206085046.0 |
008 - CÓDIGOS DE INFORMACIÓN DE LONGITUD FIJA |
Campo de control de longitud fija |
150116t9999 mx r gr 000 0 spa d |
040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN |
Centro transcriptor |
EC-UrYT |
041 ## - CÓDIGO DE LENGUA |
Código de lengua del texto/banda sonora o título independiente |
eng |
Código de lengua del sumario o resumen |
spa |
100 1# - PUNTO DE ACCESO PRINCIPAL - NOMBRE DE PERSONA |
9 (RLIN) |
14416 |
Nombre de persona |
Zapata Gavilanes, Richard Santiago |
Término indicativo de función |
autor |
245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO |
Título |
Manufacture of thin film memcapacitor aluminum oxide nanopores filled with copper oxide by electrochemical self-organizing template / |
Mención de responsabilidad etc. |
Richard Santiago Zapata Gavilanes ; tutor Gema González Vázquez |
264 #4 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT |
Lugar de producción |
Urcuquí, |
Fecha de producción |
2021 |
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA |
Extensión |
92 hojas : |
Otras características físicas |
ilustraciones (algunas a color) ; |
Dimensiones |
30 cm + |
Material anejo |
1 CD-ROM |
502 ## - NOTA DE TESIS |
Nota de tesis |
Trabajo de integración curricular |
Tipo de título |
(Ingeniero/a en Nanotecnología). |
Nombre de la institución que otorga el título |
Universidad de Investigación de Tecnología Experimental Yachay. |
Ciudad de la institución que otorga el título |
Urcuquí, |
Año de obtención del título |
2021 |
504 ## - NOTA DE BIBLIOGRAFÍA; ETC. |
Nota de bibliografía etc. |
Incluye referencias bibliográficas (páginas 62-77) |
506 ## - NOTA DE RESTRICCIONES AL ACCESO |
Limitaciones de acceso |
Trabajo de integración curricular con acceso abierto |
516 ## - NOTA DE TIPO DE ARCHIVO DE ORDENADOR O DE DATOS |
Nota de tipo de archivo de ordenador o de datos |
Texto (Hypertexto links) |
520 ## - NOTA DE SUMARIO; ETC. |
Sumario etc. |
El presente proyecto muestra la fabricación de una película delgada con una densidad aproximada de 1.1 x 10^15de memcapacitors por m^2. El material modificado está compuesto por nano-poros de óxido de aluminio (AO) y dopado con alambres de nano-óxido de cobre (wCuOx). El material de partida para hacer el electrodo fue aluminio y mediante anodización electroquímica se obtuvo una membrana porosa de óxido de aluminio (AAO). A continuación, se utilizó AAO como sustrato para depositar wCuOx dentro de los poros para formar un material AOO / CuO. La caracterización morfológica de las películas obtenidas se realizó con un microscopio de fuerza atómica, microscopía electrónica de barrido y espectroscopía de rayos X de energía dispersiva. Y para caracterizar las propiedades eléctricas se utilizó voltamperometría cíclica y espectroscopía de impedancia electroquímica. Los resultados experimentales obtenidos mostraron un tamaño de poro de 50-200 nm con una profundidad de 40 um. La voltamperometría cíclica mostró el bucle de histéresis de conmutación resistiva característico de un condensador de memoria que muestra la variación de resistencia que va de 0 a 22,5 k\ohm. La espectroscopia de impedancia electroquímica mostró un valor de capacitancia de 1,14X 10^(-5)F para la alúmina y 6,82X 10^(-6)F para el material AOO / CuO |
546 ## - NOTA DE LENGUA |
Nota de lengua |
Textos en inglés con resúmenes en español e inglés |
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA - TÉRMINO DE MATERIA |
9 (RLIN) |
14417 |
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
Oxido de aluminio |
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA - TÉRMINO DE MATERIA |
9 (RLIN) |
14418 |
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
Nanoporos |
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA - TÉRMINO DE MATERIA |
9 (RLIN) |
14419 |
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
Conmutación resistiva |
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA - TÉRMINO DE MATERIA |
9 (RLIN) |
14420 |
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
Impedancia electroquímica |
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA - TÉRMINO DE MATERIA |
9 (RLIN) |
14421 |
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
Memcapacitor |
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA - TÉRMINO DE MATERIA |
9 (RLIN) |
14422 |
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
Aluminum oxide |
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA - TÉRMINO DE MATERIA |
9 (RLIN) |
14423 |
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
Nano pores |
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA - TÉRMINO DE MATERIA |
9 (RLIN) |
14424 |
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
Nano wires |
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA - TÉRMINO DE MATERIA |
9 (RLIN) |
14425 |
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
Resistive switching |
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA - TÉRMINO DE MATERIA |
9 (RLIN) |
2091 |
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
Nanotecnología |
Subdivisión de forma |
Trabajos y disertaciones académicas |
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL - NOMBRE DE PERSONA |
9 (RLIN) |
14345 |
Nombre de persona |
González Vázquez, Gema |
Término indicativo de función |
tutor |
710 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL - NOMBRE DE ENTIDAD |
9 (RLIN) |
11232 |
Nombre de entidad o nombre de jurisdicción como elemento inicial |
Universidad de Investigación de Tecnología Experimental Yachay. |
Unidad subordinada |
Escuela de Ciencias Físicas y Nanotecnología |
856 ## - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS |
Nota pública |
Ver recurso |
Identificador Uniforme del Recurso (URI) |
http://repositorio.yachaytech.edu.ec/handle/123456789/301 |
942 ## - ENTRADA PARA ELEMENTOS AGREGADOS (KOHA) |
Fuente de clasificación o esquema de ordenación en estanterías |
Clasificación Decimal Dewey |
Koha [por defecto] tipo de item |
Tesis |