Manufacture of thin film memcapacitor aluminum oxide nanopores filled with copper oxide by electrochemical self-organizing template / (Registro nro. 4266)

Detalles MARC
000 -CABECERA
Campo de control de longitud fija 03165nam a22003977a 4500
003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL
Campo de control EC-UrYT
005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN
Campo de control 20221206085046.0
008 - CÓDIGOS DE INFORMACIÓN DE LONGITUD FIJA
Campo de control de longitud fija 150116t9999 mx r gr 000 0 spa d
040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN
Centro transcriptor EC-UrYT
041 ## - CÓDIGO DE LENGUA
Código de lengua del texto/banda sonora o título independiente eng
Código de lengua del sumario o resumen spa
100 1# - PUNTO DE ACCESO PRINCIPAL - NOMBRE DE PERSONA
9 (RLIN) 14416
Nombre de persona Zapata Gavilanes, Richard Santiago
Término indicativo de función autor
245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO
Título Manufacture of thin film memcapacitor aluminum oxide nanopores filled with copper oxide by electrochemical self-organizing template /
Mención de responsabilidad etc. Richard Santiago Zapata Gavilanes ; tutor Gema González Vázquez
264 #4 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT
Lugar de producción Urcuquí,
Fecha de producción 2021
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA
Extensión 92 hojas :
Otras características físicas ilustraciones (algunas a color) ;
Dimensiones 30 cm +
Material anejo 1 CD-ROM
502 ## - NOTA DE TESIS
Nota de tesis Trabajo de integración curricular
Tipo de título (Ingeniero/a en Nanotecnología).
Nombre de la institución que otorga el título Universidad de Investigación de Tecnología Experimental Yachay.
Ciudad de la institución que otorga el título Urcuquí,
Año de obtención del título 2021
504 ## - NOTA DE BIBLIOGRAFÍA; ETC.
Nota de bibliografía etc. Incluye referencias bibliográficas (páginas 62-77)
506 ## - NOTA DE RESTRICCIONES AL ACCESO
Limitaciones de acceso Trabajo de integración curricular con acceso abierto
516 ## - NOTA DE TIPO DE ARCHIVO DE ORDENADOR O DE DATOS
Nota de tipo de archivo de ordenador o de datos Texto (Hypertexto links)
520 ## - NOTA DE SUMARIO; ETC.
Sumario etc. El presente proyecto muestra la fabricación de una película delgada con una densidad aproximada de 1.1 x 10^15de memcapacitors por m^2. El material modificado está compuesto por nano-poros de óxido de aluminio (AO) y dopado con alambres de nano-óxido de cobre (wCuOx). El material de partida para hacer el electrodo fue aluminio y mediante anodización electroquímica se obtuvo una membrana porosa de óxido de aluminio (AAO). A continuación, se utilizó AAO como sustrato para depositar wCuOx dentro de los poros para formar un material AOO / CuO. La caracterización morfológica de las películas obtenidas se realizó con un microscopio de fuerza atómica, microscopía electrónica de barrido y espectroscopía de rayos X de energía dispersiva. Y para caracterizar las propiedades eléctricas se utilizó voltamperometría cíclica y espectroscopía de impedancia electroquímica. Los resultados experimentales obtenidos mostraron un tamaño de poro de 50-200 nm con una profundidad de 40 um. La voltamperometría cíclica mostró el bucle de histéresis de conmutación resistiva característico de un condensador de memoria que muestra la variación de resistencia que va de 0 a 22,5 k\ohm. La espectroscopia de impedancia electroquímica mostró un valor de capacitancia de 1,14X 10^(-5)F para la alúmina y 6,82X 10^(-6)F para el material AOO / CuO
546 ## - NOTA DE LENGUA
Nota de lengua Textos en inglés con resúmenes en español e inglés
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA - TÉRMINO DE MATERIA
9 (RLIN) 14417
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial Oxido de aluminio
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA - TÉRMINO DE MATERIA
9 (RLIN) 14418
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial Nanoporos
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA - TÉRMINO DE MATERIA
9 (RLIN) 14419
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial Conmutación resistiva
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA - TÉRMINO DE MATERIA
9 (RLIN) 14420
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial Impedancia electroquímica
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA - TÉRMINO DE MATERIA
9 (RLIN) 14421
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial Memcapacitor
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA - TÉRMINO DE MATERIA
9 (RLIN) 14422
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial Aluminum oxide
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA - TÉRMINO DE MATERIA
9 (RLIN) 14423
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial Nano pores
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA - TÉRMINO DE MATERIA
9 (RLIN) 14424
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial Nano wires
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA - TÉRMINO DE MATERIA
9 (RLIN) 14425
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial Resistive switching
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA - TÉRMINO DE MATERIA
9 (RLIN) 2091
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial Nanotecnología
Subdivisión de forma Trabajos y disertaciones académicas
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL - NOMBRE DE PERSONA
9 (RLIN) 14345
Nombre de persona González Vázquez, Gema
Término indicativo de función tutor
710 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL - NOMBRE DE ENTIDAD
9 (RLIN) 11232
Nombre de entidad o nombre de jurisdicción como elemento inicial Universidad de Investigación de Tecnología Experimental Yachay.
Unidad subordinada Escuela de Ciencias Físicas y Nanotecnología
856 ## - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS
Nota pública Ver recurso
Identificador Uniforme del Recurso (URI) http://repositorio.yachaytech.edu.ec/handle/123456789/301
942 ## - ENTRADA PARA ELEMENTOS AGREGADOS (KOHA)
Fuente de clasificación o esquema de ordenación en estanterías Clasificación Decimal Dewey
Koha [por defecto] tipo de item Tesis
Existencias
Suprimido Estado de pérdida Fuente de clasificación o esquema de ordenación en estanterías Estropeado No para préstamo Localización permanente Localización actual Fecha de adquisición Número de inventario Signatura completa Código de barras Fecha última consulta Número de ejemplar Fecha del precio de reemplazo Tipo de item de Koha
    Clasificación Decimal Dewey     Biblioteca Yachay Tech Biblioteca Yachay Tech 01/28/2021 T000404 ECFN0050 T000404 12/06/2022 1 12/06/2022 Tesis

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