Detalles MARC
| 000 -CABECERA |
|---|
| campo de control de longitud fija |
02342cam a22003254a 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL |
|---|
| campo de control |
16570408 |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN |
|---|
| campo de control |
20170923100833.0 |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
101207s2011 enka b 001 0 eng |
| 010 ## - NÚMERO DE CONTROL DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO |
|---|
| Número de control de LC |
2010046886 |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO |
|---|
| Número Internacional Estándar del Libro |
9780521516846 (hardback) |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN |
|---|
| Centro catalogador/agencia de origen |
BYT |
| 042 ## - CÓDIGO DE AUTENTICACIÓN |
|---|
| Código de autenticación |
pcc |
| 082 04 - NÚMERO DE LA CLASIFICACIÓN DECIMAL DEWEY |
|---|
| Número de clasificación |
621.381528 |
| Número de edición |
22 |
| 100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA |
|---|
| 9 (RLIN) |
2259 |
| Nombre de persona |
Esseni, D. |
| Forma completa/desarrollada del nombre |
(David) |
| 245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO |
|---|
| Título |
Nanoscale MOS transistors : |
| Resto del título |
semi-classical transport and applications / |
| Mención de responsabilidad, etc. |
David Esseni, Pierpaolo Palestri, Luca Selmi. |
| 260 ## - PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, ETC. (PIE DE IMPRENTA) |
|---|
| Lugar de publicación, distribución, etc. |
Cambridge ; |
| -- |
New York : |
| Nombre del editor, distribuidor, etc. |
Cambridge University Press, |
| Fecha de publicación, distribución, etc. |
2011. |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA |
|---|
| Extensión |
xvii, 470 pages : |
| Otras características físicas |
illustrations ; |
| Dimensiones |
18 x 26 cm. |
| 504 ## - NOTA DE BIBLIOGRAFÍA, ETC. |
|---|
| Bibliografía, etc. |
Includes bibliographical references and index. |
| 505 2# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO |
|---|
| Nota de contenido con formato |
Bulk semiconductors and the semi-classical model -- Quantum confined inversion layers -- Carrier scattering in silicon MOS transistors -- The Boltzmann transport equation -- The Monte Carlo method for the Boltzmann transport equation -- Simulation of bulk and SOI silicon MOSFETs; 8. MOS transistors with arbitrary crystal orientation -- MOS transistors with strained silicon channels -- MOS transistors with alternative materials. |
| 520 3# - SUMARIO, ETC. |
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| Sumario, etc. |
"Written from an engineering standpoint, this book provides the theoretical background and physical insight needed to understand new and future developments in the modeling and design of n- and p-MOS nanoscale transistors. A wealth of applications, illustrations and examples connect the methods described to all the latest issues in nanoscale MOSFET design. Key areas covered include: Transport in arbitrary crystal orientations and strain conditions, and new channel and gate stack materials All the relevant transport regimes, ranging from low field mobility to quasi-ballistic transport, described using a single modeling framework Predictive capabilities of device models, discussed with systematic comparisons to experimental results"-- |
| 650 24 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
Metal oxide semiconductors |
| Subdivisión general |
Design and construction. |
| 9 (RLIN) |
2413 |
| 650 24 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
Electron transport |
| 9 (RLIN) |
2416 |
| 650 24 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
Nanoelectronics |
| 9 (RLIN) |
2417 |
| 650 24 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
Semiconductores de óxido metálico |
| 9 (RLIN) |
2418 |
| Subdivisión general |
Diseño y construcción |
| 650 24 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
Transporte de electrones |
| 9 (RLIN) |
2420 |
| 650 24 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
Nanoelectrónica |
| 9 (RLIN) |
2421 |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA |
|---|
| 9 (RLIN) |
2259 |
| Término indicativo de función/relación |
autor |
| Nombre de persona |
Palestri, Pierpaolo |
| 700 ## - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA |
|---|
| 9 (RLIN) |
2259 |
| Término indicativo de función/relación |
autor |
| Nombre de persona |
Selmi, Luca |
| 942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA) |
|---|
| Fuente del sistema de clasificación o colocación |
Clasificación Decimal Dewey |
| Tipo de ítem Koha |
Colección general |
| 999 ## - NÚMEROS DE CONTROL DE SISTEMA (KOHA) |
|---|
| Koha biblionumber |
128 |
