000			03357nam a22004097a 4500
003			EC-UrYT
005			20221206094310.0
008			150116t9999 mx r gr 000 0 spa d
040			_cEC-UrYT
041			_aeng _bspa
100	1		_914426 _aHidalgo Parra, Andrés Alexander _eautor
245	1	0	_aElectronic properties of Li and K on graphene: top, hollow and bridge configurations / _cAndrés Alexander Hidalgo Parra ; tutor Mayra Alejandra de Jesús Peralta Arcia
264		4	_aUrcuquí, _c2020
300			_a76 hojas : _bilustraciones (algunas a color) ; _c30 cm + _e1 CD-ROM
502			_aTrabajo de integración curricular _b(Físico/a). _cUniversidad de Investigación de Tecnología Experimental Yachay. _gUrcuquí, _d2020
504			_aIncluye referencias bibliográficas (páginas 49-57)
506			_aTrabajo de integración curricular con acceso abierto
516			_aTexto (Hypertexto links)
520			_aEn este trabajo, presento un Modelo Tight Binding (TBM) analítico, para grafeno con átomos adsorbidos de litio (Li) y potasio (K), en diferentes posiciones de adsorción. Las configuraciones analizadas son: a) Top site (átomo adsorbido encima del átomo de carbono de la subred A del grafeno), b) Hollow site (átomo adsorbido en el centro de los hexágonos del grafeno) y c) Bridge site (átomos adsorbidos en medio del puente A-B de los átomos de carbono del. grafeno). Un procedimiento ab-initio de Teoría Funcional de la Densidad (DFT) es implementado, para contrastar los resultados obtenidos analíticamente por TBM. Este modelo computacional es útil para obtener los parámetros necesarios y así construir una precisa estructura de bandas del grafeno de acuerdo al sitio de adsorción. El objetivo de este estudio es entender cómo la estructura y propiedades electrónicas del grafeno son modificadas cuando átomos de Li o K están en proximidad. Adicionalmente, podemos analizar cuáles son las hibridaciones de los orbitales atómicos que son responsables de las modificaciones del grafeno. Como resultado obtuvimos que en los casos Top (T) y Bridge (B), la hibridación entre los orbitales pz del grafeno y los orbitales s y p del adatom modifica la velocidad de Fermi, baja el nivel de Fermi y abre un gap de energía significativo entre las bandas de alrededor de 0.3-0.4 eV. Para el caso Hollow (H), se observa una modificación de la velocidad de Fermi leve, baja el nivel de Fermi y se mantiene la linealidad de las bandas.
546			_aTextos en inglés con resúmenes en español e inglés
650		0	_98675 _aGrafeno
650		0	_914427 _aEfectos de proximindad
650		0	_913274 _aTeoría funcional de la densidad
650		0	_95747 _aEstructura electronica
650		0	_98674 _aGraphene
650		0	_914428 _aProximity effects
650		0	_913375 _aDensity-Functional Theory
650		0	_95746 _aElectronic structure.
650		0	_914429 _aTight binding
650		0	_914430 _aAlkali metal
650		0	_9102 _aFísica _vTrabajos y disertaciones académicas
700	1		_914253 _aPeralta Arcia, Mayra Alejandra de Jesús _etutor
710	1		_911232 _aUniversidad de Investigación de Tecnología Experimental Yachay. _bEscuela de Ciencias Físicas y Nanotecnología
856			_zVer recurso _uhttp://repositorio.yachaytech.edu.ec/handle/123456789/296
942			_2ddc _cTIC
999			_c4267 _d4267