000			03165nam a22003977a 4500
003			EC-UrYT
005			20221206085046.0
008			150116t9999 mx r gr 000 0 spa d
040			_cEC-UrYT
041			_aeng _bspa
100	1		_914416 _aZapata Gavilanes, Richard Santiago _eautor
245	1	0	_aManufacture of thin film memcapacitor aluminum oxide nanopores filled with copper oxide by electrochemical self-organizing template / _cRichard Santiago Zapata Gavilanes ; tutor Gema González Vázquez
264		4	_aUrcuquí, _c2021
300			_a92 hojas : _bilustraciones (algunas a color) ; _c30 cm + _e1 CD-ROM
502			_aTrabajo de integración curricular _b(Ingeniero/a en Nanotecnología). _cUniversidad de Investigación de Tecnología Experimental Yachay. _gUrcuquí, _d2021
504			_aIncluye referencias bibliográficas (páginas 62-77)
506			_aTrabajo de integración curricular con acceso abierto
516			_aTexto (Hypertexto links)
520			_aEl presente proyecto muestra la fabricación de una película delgada con una densidad aproximada de 1.1 x 10^15de memcapacitors por m^2. El material modificado está compuesto por nano-poros de óxido de aluminio (AO) y dopado con alambres de nano-óxido de cobre (wCuOx). El material de partida para hacer el electrodo fue aluminio y mediante anodización electroquímica se obtuvo una membrana porosa de óxido de aluminio (AAO). A continuación, se utilizó AAO como sustrato para depositar wCuOx dentro de los poros para formar un material AOO / CuO. La caracterización morfológica de las películas obtenidas se realizó con un microscopio de fuerza atómica, microscopía electrónica de barrido y espectroscopía de rayos X de energía dispersiva. Y para caracterizar las propiedades eléctricas se utilizó voltamperometría cíclica y espectroscopía de impedancia electroquímica. Los resultados experimentales obtenidos mostraron un tamaño de poro de 50-200 nm con una profundidad de 40 um. La voltamperometría cíclica mostró el bucle de histéresis de conmutación resistiva característico de un condensador de memoria que muestra la variación de resistencia que va de 0 a 22,5 k\ohm. La espectroscopia de impedancia electroquímica mostró un valor de capacitancia de 1,14X 10^(-5)F para la alúmina y 6,82X 10^(-6)F para el material AOO / CuO
546			_aTextos en inglés con resúmenes en español e inglés
650		0	_914417 _aOxido de aluminio
650		0	_914418 _aNanoporos
650		0	_914419 _aConmutación resistiva
650		0	_914420 _aImpedancia electroquímica
650		0	_914421 _aMemcapacitor
650		0	_914422 _aAluminum oxide
650		0	_914423 _aNano pores
650		0	_914424 _aNano wires
650		0	_914425 _aResistive switching
650		0	_92091 _aNanotecnología _vTrabajos y disertaciones académicas
700	1		_914345 _aGonzález Vázquez, Gema _etutor
710	1		_911232 _aUniversidad de Investigación de Tecnología Experimental Yachay. _bEscuela de Ciencias Físicas y Nanotecnología
856			_zVer recurso _uhttp://repositorio.yachaytech.edu.ec/handle/123456789/301
942			_2ddc _cTIC
999			_c4266 _d4266