000			03001nam a22003257a 4500
003			EC-UrYT
005			20221206000959.0
008			150116t9999 mx r gr 000 0 spa d
040			_cEC-UrYT
041			_aeng _bspa
100	1		_914295 _aGarzón Armendáriz, Doménica Nicole _eautor
245	1		_aElectronic structure of nobel-graphene based superlattices / _cDoménica Nicole Garzón Armendáriz ; tutor Henry Paúl Pinto Esparza
264		4	_aUrcuquí, _c2021
300			_a59 hojas : _bilustraciones (algunas a color) ; _c30 cm + _e1 CD-ROM
502			_aTrabajo de integración curricular _b(Físico/a). _cUniversidad de Investigación de Tecnología Experimental Yachay. _gUrcuquí, _d2021
504			_aIncluye referencias bibliográficas (páginas 53-57)
506			_aTrabajo de integración curricular con acceso abierto
516			_aTexto (Hypertexto links)
520			_aEl grafeno es un material que tiene notables propiedades electrónicas y estructurales. Este material excepcional se destaca por sus aplicaciones potenciales en muchas áreas emergentes. Sin embargo, sus aplicaciones nanoelectrónicas son limitadas porque carece de un bandgap a nivel de Fermi, el cual define el concepto de un material semiconductor y es esencial para controlar la conductividad en el material. Los defectos estructurales pueden cambiar esta carencia de badgap en el grafeno. Sin embargo, debido a que los experimentos pueden llevar mucho tiempo y ser costosos, la comprensión de la relación entre los defectos y las propiedades relacionadas con la estructura es limitada. Es crucial investigar las propiedades relacionadas con la estructura y los defectos, utilizando simulaciones DFT y modelos matemáticos. Aquí se investiga la estructura atómica, electrónica y las energías de formación de estructuras en patrones a base de grafeno con dos tipos de defectos, Stone-Wales (SWD) y defectos tipo flor (FLD). Se investigan las estructuras a través de microscopía de túnel de barrido, un modelo matemático perturbativo y la teoría funcional de la densidad (DFT) dentro de los cálculos de aproximación meta-GGA. El análisis muestra una apertura de bandgap en la estructura de grafeno con defectos cuando los mismos se disponen a ciertas distancias. Luego, los cálculos tight-binding derivan una regla que predice en qué casos puede haber un bandgap y se compara con los resultados de DFT.
546			_aTextos en inglés con resúmenes en español e inglés
650		0	_914296 _aDefectos Stone-Wales
650		0	_914297 _aApertura de banda
650		0	_914298 _aPatterned graphene
650		0	_9102 _aFísica _vTrabajos y disertaciones académicas
700	1		_911670 _aPinto Esparza, Henry Paúl _etutor
710	1		_aUniversidad de Investigación de Tecnología Experimental Yachay. _bEscuela de Ciencias Físicas y Nanotecnología _911232
856			_zVer recurso _uhttp://repositorio.yachaytech.edu.ec/handle/123456789/449
942			_2ddc _cTIC
999			_c4247 _d4247