Electronic properties of Li and K on graphene: top, hollow and bridge configurations / Andrés Alexander Hidalgo Parra ; tutor Mayra Alejandra de Jesús Peralta Arcia
Tipo de material:
TextoIdioma: Inglés Idioma del resumen: Español Fecha de copyright: Urcuquí, 2020Descripción: 76 hojas : ilustraciones (algunas a color) ; 30 cm + 1 CD-ROMTema(s): Recursos en línea: Nota de disertación: Trabajo de integración curricular (Físico/a). Universidad de Investigación de Tecnología Experimental Yachay. Urcuquí, 2020 Resumen: En este trabajo, presento un Modelo Tight Binding (TBM) analítico, para grafeno con átomos adsorbidos de litio (Li) y potasio (K), en diferentes posiciones de adsorción. Las configuraciones analizadas son: a) Top site (átomo adsorbido encima del átomo de carbono de la subred A del grafeno), b) Hollow site (átomo adsorbido en el centro de los hexágonos del grafeno) y c) Bridge site (átomos adsorbidos en medio del puente A-B de los átomos de carbono del. grafeno). Un procedimiento ab-initio de Teoría Funcional de la Densidad (DFT) es implementado, para contrastar los resultados obtenidos analíticamente por TBM. Este modelo computacional es útil para obtener los parámetros necesarios y así construir una precisa estructura de bandas del grafeno de acuerdo al sitio de adsorción. El objetivo de este estudio es entender cómo la estructura y propiedades electrónicas del grafeno son modificadas cuando átomos de Li o K están en proximidad. Adicionalmente, podemos analizar cuáles son las hibridaciones de los orbitales atómicos que son responsables de las modificaciones del grafeno. Como resultado obtuvimos que en los casos Top (T) y Bridge (B), la hibridación entre los orbitales pz del grafeno y los orbitales s y p del adatom modifica la velocidad de Fermi, baja el nivel de Fermi y abre un gap de energía significativo entre las bandas de alrededor de 0.3-0.4 eV. Para el caso Hollow (H), se observa una modificación de la velocidad de Fermi leve, baja el nivel de Fermi y se mantiene la linealidad de las bandas.
| Tipo de ítem | Biblioteca actual | Signatura | Copia número | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras | Reserva de ítems | |
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Tesis
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Biblioteca Yachay Tech | ECFN0048 (Navegar estantería(Abre debajo)) | 1 | No para préstamo | T000405 |
Trabajo de integración curricular (Físico/a). Universidad de Investigación de Tecnología Experimental Yachay. Urcuquí, 2020
Incluye referencias bibliográficas (páginas 49-57)
Trabajo de integración curricular con acceso abierto
Texto (Hypertexto links)
En este trabajo, presento un Modelo Tight Binding (TBM) analítico, para grafeno con átomos adsorbidos de litio (Li) y potasio (K), en diferentes posiciones de adsorción. Las configuraciones analizadas son: a) Top site (átomo adsorbido encima del átomo de carbono de la subred A del grafeno), b) Hollow site (átomo adsorbido en el centro de los hexágonos del grafeno) y c) Bridge site (átomos adsorbidos en medio del puente A-B de los átomos de carbono del. grafeno). Un procedimiento ab-initio de Teoría Funcional de la Densidad (DFT) es implementado, para contrastar los resultados obtenidos analíticamente por TBM. Este modelo computacional es útil para obtener los parámetros necesarios y así construir una precisa estructura de bandas del grafeno de acuerdo al sitio de adsorción. El objetivo de este estudio es entender cómo la estructura y propiedades electrónicas del grafeno son modificadas cuando átomos de Li o K están en proximidad. Adicionalmente, podemos analizar cuáles son las hibridaciones de los orbitales atómicos que son responsables de las modificaciones del grafeno. Como resultado obtuvimos que en los casos Top (T) y Bridge (B), la hibridación entre los orbitales pz del grafeno y los orbitales s y p del adatom modifica la velocidad de Fermi, baja el nivel de Fermi y abre un gap de energía significativo entre las bandas de alrededor de 0.3-0.4 eV. Para el caso Hollow (H), se observa una modificación de la velocidad de Fermi leve, baja el nivel de Fermi y se mantiene la linealidad de las bandas.
Textos en inglés con resúmenes en español e inglés
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