X-Ray absorption spectroscopy of semiconductors / (Registro nro. 3134)

Detalles MARC
000 -CABECERA
campo de control de longitud fija 03841cam a22005175i 4500
999 ## - NÚMEROS DE CONTROL DE SISTEMA (KOHA)
Koha biblionumber 3134
001 - NÚMERO DE CONTROL
campo de control 18303758
003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL
campo de control EC-UrYT
005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN
campo de control 20230321133331.0
006 - CÓDIGOS DE INFORMACIÓN DE LONGITUD FIJA--CARACTERÍSTICAS DEL MATERIAL ADICIONAL
campo de control de longitud fija s||||gr|||| 00| 00
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija 140912s2014 nyu 000 0 eng
010 ## - NÚMERO DE CONTROL DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO
Número de control de LC 2014951156
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
Número Internacional Estándar del Libro 9783662443613
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
Número Internacional Estándar del Libro 9783662443620 (eBook)
040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN
Centro catalogador/agencia de origen Ec-UrYT
Lengua de catalogación Ec-UrYT
Centro/agencia transcriptor Ec-UrYT
Normas de descripción rda
Centro/agencia modificador DLC
-- EC-UrYT
041 ## - CÓDIGO DE LENGUA
Código de lengua del texto/banda sonora o título independiente eng
042 ## - CÓDIGO DE AUTENTICACIÓN
Código de autenticación pcc
082 04 - NÚMERO DE LA CLASIFICACIÓN DECIMAL DEWEY
Número de edición 23
Número de clasificación 537.6226
245 00 - MENCIÓN DE TÍTULO
Título X-Ray absorption spectroscopy of semiconductors /
Mención de responsabilidad, etc. Claudia S. Schnohr and Mark C. Ridgway, editors.
250 ## - MENCIÓN DE EDICIÓN
Mención de edición First Edition
263 ## - FECHA PROYECTADA DE PUBLICACIÓN
Fecha proyectada de publicación 1409
264 34 - Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright
Lugar de producción, publicación, distribución, fabricación New York :
Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante Springer,
Fecha de de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright 2015.
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA
Extensión xvi, 361 pages :
Otras características físicas illustrations ;
Dimensiones 24 cm.
490 0# - MENCIÓN DE SERIE
Mención de serie Springer series in optical sciences
Designación de volumen o secuencia 190.
505 2# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato 1 Introduction to X-Ray Absorption Spectroscopy -- Part I Crystalline Semiconductors -- 2 Binary and Ternary Random Alloys -- 3 Wide Band Gap Materials -- 4 Dopants -- 5 Complexes and Clusters -- 6 Vibrational Anisotropy -- Part II <br/>Disordered Semiconductors -- 7 Amorphous Group IV Semiconductors -- 8 Amorphous Group III-V Semiconductors -- 9 Semiconductors Under Extreme Conditions -- Part III Semiconductor Nanostructures -- 10 Group IV Quantum Dots and Nanoparticles -- 11 Group IV Nanowires -- 12 Group III-V and II-VI Quantum Dots and Nanoparticles -- 13 Group III-V and II-VI Nanowires -- Part IV Magnetic Semiconductors -- 14 Magnetic Ions in Group IV Semiconductors -- 15 Magnetic Ions in Group III-V Semiconductors -- 16 Magnetic Ions in Group II-VI Semiconductors.
520 3# - SUMARIO, ETC.
Sumario, etc. X-ray Absorption Spectroscopy (XAS) is a powerful technique with which to probe the properties of matter, equally applicable to the solid, liquid and gas phases. Semiconductors are arguably our most technologically-relevant group of materials given they form the basis of the electronic and photonic devices that now so widely permeate almost every aspect of our society. The most effective utilisation of these materials today and tomorrow necessitates a detailed knowledge of their structural and vibrational properties. Through a series of comprehensive reviews, this book demonstrates the versatility of XAS for semiconductor materials analysis and presents important research activities in this ever growing field. A short introduction of the technique, aimed primarily at XAS newcomers, is followed by twenty independent chapters dedicated to distinct groups of materials. Topics span dopants in crystalline semiconductors and disorder in amorphous semiconductors to alloys and nanometric material as well as in-situ measurements of the effects of temperature and pressure. Summarizing research in their respective fields, the authors highlight important experimental findings and demonstrate the capabilities and applications of the XAS technique. This book provides a comprehensive review and valuable reference guide for both XAS newcomers and experts involved in semiconductor materials research.
650 24 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
9 (RLIN) 7418
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial X-ray spectroscopy
650 24 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
9 (RLIN) 2847
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial Semiconductors
650 24 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
9 (RLIN) 7419
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial Absorption spectra
650 24 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
9 (RLIN) 7420
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial Espectroscopía de rayos X
650 24 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
9 (RLIN) 103
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial Semiconductores
650 20 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial Espectro
9 (RLIN) 7421
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
9 (RLIN) 7424
Nombre de persona Schnohr, Claudia S.
Término indicativo de función/relación editor
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
9 (RLIN) 7425
Nombre de persona Ridgway, Mark C.
Término indicativo de función/relación editor
856 42 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS
Especificación de materiales Publisher description
Identificador Uniforme del Recurso <a href="http://www.loc.gov/catdir/enhancements/fy1413/2014951156-d.html">http://www.loc.gov/catdir/enhancements/fy1413/2014951156-d.html</a>
856 41 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS
Especificación de materiales Table of contents only
Identificador Uniforme del Recurso <a href="http://www.loc.gov/catdir/enhancements/fy1413/2014951156-t.html">http://www.loc.gov/catdir/enhancements/fy1413/2014951156-t.html</a>
906 ## - ELEMENTOS DE DATOS F LOCAL, LDF (RLIN)
a 0
b ibc
c orignew
d 2
e epcn
f 20
g y-gencatlg
942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA)
Fuente del sistema de clasificación o colocación Clasificación Decimal Dewey
Tipo de ítem Koha Colección general
955 ## - INFORMACIÓN NIVEL-COPIA (RLIN)
Classification number, CCAL (RLIN) pc17 2014-09-12
Existencias
Estado de retiro Estado de pérdida Fuente del sistema de clasificación o colocación Estado dañado No para préstamo Localización permanente Ubicación/localización actual Fecha de adquisición Fuente de adquisición Coste, precio normal de compra Número de inventario Total de préstamos Renovaciones totales Signatura topográfica completa Código de barras Fecha visto por última vez Fecha del último préstamo Número de copia Precio válido a partir de Tipo de ítem Koha
    Clasificación Decimal Dewey     Biblioteca Yachay Tech Biblioteca Yachay Tech 02/06/2018 Compra EBSCO 177.21 005690 1 2 537.6226 X1 2015 005690 11/15/2022 11/09/2022 Ej. 1 03/22/2018 Colección general

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