Solving the atomic structure of ultra-thin CaF2 layers on the Si(100) surface / Joshua Mateo Salazar Mejía ; tutor Henry Paúl Pinto Esparza
Tipo de material:
TextoIdioma: Inglés Idioma del resumen: Español Fecha de copyright: Urcuquí, 2020Descripción: 81 hojas : ilustraciones (algunas a color) ; 30 cm + 1 CD-ROMTema(s): Recursos en línea: Nota de disertación: Trabajo de integración curricular (Físico/a). Universidad de Investigación de Tecnología Experimental Yachay. Urcuquí, 2020 Resumen: El desarrollo de la electrónica molecular requiere la efectiva manipulación de una molécula sobre su sustrato, y también una manipulación precisa a escala atómica1. En el siguiente trabajo se estudiará la interfaz de CaF2/Si(100) que actualmente es usada para la manipulación electrónica de moléculas a escala nanométrica. Esta interfaz ha sido construida experimentalmente hasta cierto régimen de recubrimiento2,3. Desafortunadamente, hasta donde sabemos, una descripción acertada de la formación en forma de franjas de la interfaz de CaF2/Si(100) sigue sin resolverse3. Para resolver este inconveniente proponemos un estudio teórico de esta interfaz usando la teoría del funcional de la densidad (Density Funtional Theory, DFT) para obtener la configuración electrónica y estructura atómica más probable de la interfaz. Las aproximaciones de gradiente generalizado tienden a fallar al describir las energías de cohesión entre las capas de este tipo de sistemas. Para simularlos adecuadamente es necesario tomar en cuenta las interacciones débiles de van der Waals que surgen entre el CaF2 y la superficie de Si(100). En este trabajo se emplearán funcionales de densidad que usen van der Waals4 para investigar la configuración y energías de varias interfaces. Además sus respectivas energías, imágenes de STM simuladas de las estructuras con más estabilidad serán generadas y comparadas directamente con experimentos.
| Tipo de ítem | Biblioteca actual | Signatura | Copia número | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras | Reserva de ítems | |
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Tesis
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Biblioteca Yachay Tech | ECFN0032 (Navegar estantería(Abre debajo)) | 1 | No para préstamo | T000387 |
Trabajo de integración curricular (Físico/a). Universidad de Investigación de Tecnología Experimental Yachay. Urcuquí, 2020
Incluye referencias bibliográficas (páginas 55-61)
Trabajo de integración curricular con acceso abierto
Texto (Hypertexto links)
El desarrollo de la electrónica molecular requiere la efectiva manipulación de una molécula sobre su sustrato, y también una manipulación precisa a escala atómica1. En el siguiente trabajo se estudiará la interfaz de CaF2/Si(100) que actualmente es usada para la manipulación electrónica de moléculas a escala nanométrica. Esta interfaz ha sido construida experimentalmente hasta cierto régimen de recubrimiento2,3. Desafortunadamente, hasta donde sabemos, una descripción acertada de la formación en forma de franjas de la interfaz de CaF2/Si(100) sigue sin resolverse3. Para resolver este inconveniente proponemos un estudio teórico de esta interfaz usando la teoría del funcional de la densidad (Density Funtional Theory, DFT) para obtener la configuración electrónica y estructura atómica más probable de la interfaz. Las aproximaciones de gradiente generalizado tienden a fallar al describir las energías de cohesión entre las capas de este tipo de sistemas. Para simularlos adecuadamente es necesario tomar en cuenta las interacciones débiles de van der Waals que surgen entre el CaF2 y la superficie de Si(100). En este trabajo se emplearán funcionales de densidad que usen van der Waals4 para investigar la configuración y energías de varias interfaces. Además sus respectivas energías, imágenes de STM simuladas de las estructuras con más estabilidad serán generadas y comparadas directamente con experimentos.
Textos en inglés con resúmenes en español e inglés
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